Når du starter på utformingen av en FET krets, er det nødvendig å bestemme de grunnleggende kravene til kretsen. Disse vil styre mange av beslutningene om hvilken type kretstopologi å bruke og også typen FET å bruke.
Det kan være en rekke parametere som kreves i kravene til transistor krets design:
Spenningsgevinst:Spenningsgevinsten er ofte et viktig krav. Det er utgangssignalspenningen delt på inngangssignalspenningen.
Nåværende gevinst:Dette er gevinsten av FET krets i form av strøm. Det kan være nødvendig å kjøre et høyt strømnivå inn i lasten.
Inngangsimpedans:Dette er impedansen som den forrige fasen vil se når det gir et signal til denne FET-kretsen i spørsmålet. FETs iboende har en høy inngangsimpedans til porten, og derfor brukes FETs ofte der dette er av avgjørende betydning.
Utgangsimpedans:Utgangsimpedansen er også viktig. Hvis FET-kretsen kjører en lav impedanskrets, må utgangen ha lav impedans, ellers vil det oppstå et stort spenningsfall i transistorutgangsstadiet.
Frekvensrespons:Frekvensrespons er en annen viktig faktor som vil påvirke FET kretsdesign. Lavfrekvent eller audiotransistor krets design kan være forskjellig fra de som brukes for RF-applikasjoner. Også valget av FET og kondensator verdier i kretsdesign vil bli sterkt påvirket av den nødvendige frekvensrespons.
Forsyningsspenning og strøm:I mange kretser bestemmes forsyningsspenningen av hva som er tilgjengelig. Også strømmen kan være begrenset, spesielt hvis den ferdige FET krets design skal være batteridrevet.
